特許
J-GLOBAL ID：200903004998183155

半導体装置の製造方法

発明者：
首藤 栄一郎

首藤 栄一郎 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-210198
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025941
出願日： 2000年07月11日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 レジスト・大気汚染に代表される有機汚染やイオン注入によるダメージによる半導体層(シリコン層)の汚染を除去し、十分な表面清浄化を実現し、当該シリコン層表面を確実にシリサイド(サリサイド)化する。【解決手段】 サリサイド化を行なう前工程として、保護酸化膜6を除去する際に、先ずO2ガスを反応ガスとしたプラズマ処理を行なった後、O2ガスにエッチングガスとして用いられるC2F6ガスを加えてゆき、O2ガスとC2F6ガスの混合ガスを反応ガスとしたプラズマ処理を行う。
請求項（抜粋）：
半導体素子を形成するに際して、シリコン層の表面に高融点金属を用いたシリサイド化を行なう半導体装置の製造方法であって、シリサイド化を行なう前工程として、酸素ガスのラジカル及びエッチングガスのラジカルを前記シリコン層の表面に作用させ、酸化処理及びエッチング処理を施すことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
H01L 21/28 301 S ,  H01L 21/28 A ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/88 Q ,  H01L 29/78 301 P ,  H01L 29/78 301 Y
Fターム (52件)：
4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB20 ,  4M104BB25 ,  4M104BB28 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD02 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104FF14 ,  4M104GG09 ,  5F004AA14 ,  5F004DA02 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03 ,  5F004EB08 ,  5F004FA08 ,  5F033HH08 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033KK01 ,  5F033KK04 ,  5F033KK25 ,  5F033KK27 ,  5F033KK28 ,  5F033MM07 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ89 ,  5F033QQ94 ,  5F033SS27 ,  5F033VV06 ,  5F040DA00 ,  5F040DA01 ,  5F040DA10 ,  5F040DC01 ,  5F040EC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EC13 ,  5F040EH02 ,  5F040EK01 ,  5F040FA05 ,  5F040FA16 ,  5F040FB04 ,  5F040FC19 ,  5F040FC21
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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