特許

J-GLOBAL ID：200903004998636850

RRAM薄膜堆積のためのバッファ層形成方法

発明者： ウェイウェイ・ザン ,  シェン・テン・スー ,  デイビッド・アール・エバンス ,  ティンカイ・リー ,  ローレンス・ジェイ・チャネスキー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 政木 良文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-210546
公開番号（公開出願番号）：特開2007-067385
出願日： 2006年08月02日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：

【課題】 RRAM薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法を提供する。【解決手段】 RRAM薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法は、基板を準備する準備工程と、前記基板上に下部電極を堆積させる下部電極堆積工程と、前記下部電極上に複数の原子価を有する遷移金属の薄膜を堆積させる遷移金属膜堆積工程と、前記遷移金属膜上に金属酸化物の膜を堆積させる金属酸化膜堆積工程と、前記金属酸化膜上に上部電極を堆積させる上部電極堆積工程と、前記基板と前記基板上に形成される前記複数の膜をアニールするアニール工程と、前記RRAMを完成させるRRAM形成工程とを有する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

RRAM薄膜を堆積させるためのバッファ層の形成方法であって、 基板を準備する準備工程と、 前記基板上に下部電極を堆積させる下部電極堆積工程と、 前記下部電極上に複数の原子価を有する遷移金属の薄膜を堆積させる遷移金属膜堆積工程と、 前記遷移金属膜上に金属酸化物の膜を堆積させる金属酸化膜堆積工程と、 前記金属酸化膜上に上部電極を堆積させる上部電極堆積工程と、 前記基板と前記基板上に形成される前記複数の膜をアニールするアニール工程と、 前記RRAMを完成させるRRAM形成工程と、 を有することを特徴とするバッファ層形成方法。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA38 ,  5F083JA60 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR33

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第6,204,139号明細書
  
• 米国特許第6,849,891号明細書
  
• 米国特許出願第10/831,677号明細書