特許

J-GLOBAL ID：200903005003438756

レーザアニール方法

発明者： 小池 義彦 ,  胡 中行 ,  青山 隆 ,  岡島 義昭
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-296401
公開番号（公開出願番号）：特開平11-195608
出願日： 1988年11月30日
公開日（公表日）： 1999年07月21日
要約：

【要約】【課題】キャリアの移動度が大きい薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】絶縁基板上の半導体膜を、レーザアニールを用いることで{111}配向とする。

請求項（抜粋）：

絶縁基板と該基板上に形成された半導体膜を有する薄膜半導体装置において、レーザ照射により該半導体層を{111}面を主体とした配向を持つ多結晶シリコン膜とすることを特徴とするレーザアニール方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-263714
  
• 特開昭63-263714