特許

J-GLOBAL ID：200903005004402712

MOS型半導体装置

発明者： 中村 厚信 ,  多田 吉秀
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 金山 敏彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-001335
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190847
出願日： 1992年01月08日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 ソース、ドレイン間に流れる電流を増大して、ソース、ドレイン間に流れる電流により他のデバイスを駆動し得るMOS型半導体装置を提供する。【構成】 ソース領域2a、2bの基板表面側の一部にはN型の高濃度不純物拡散層領域としての表面拡散層7を形成し、ソース領域2bと表面拡散層7とでPN接合を構成した。そして、ソース領域2bと表面拡散層7とで構成されたPN接合によりバンド曲りを大きくして、バンド間トンネリングの確率を増大する。これにより、電流利得の増大を図り、ソース領域2a、2b、ドレイン領域3間に流れる電流により他のデバイスを駆動し得る。

請求項（抜粋）：

第一導電型の半導体基板を備えるMOS型半導体装置において、第二導電型の高濃度不純物拡散層からなるドレイン領域と、第一導電型の高濃度不純物拡散層からなるソース領域と、前記ソース領域の基板表面側の一部に形成された第二導電型の高濃度不純物拡散層領域と、第二導電型の前記高濃度不純物拡散層領域とゲート絶縁膜を介して一部が重なり合うゲートと、を備えることを特徴とするMOS型半導体装置。