特許
J-GLOBAL ID：200903005009514799
窒化ケイ素系焼結体及びその製造法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小松 秀岳 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-117315
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070233
出願日： 1991年05月22日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：
【要約】【目的】 本発明は特に常温において優れた機械的強度を有し、生産性、コスト面において有利に窒化ケイ素系焼結体を提供する。【構成】 Si3N4-第1助剤(Y2O3+MgO)-第2助剤(Al2O3、AlNの1種又は2種)の組成範囲が図1のABCDの範囲にあり、焼結体の結晶相にα-Si3N4とβ’-サイアロンの双方を含み、相対密度が98%以上のもの並びにその製法として、上記原料の圧粉体を1300〜1700°C、N2ガス中で相対密度が96%以上、α-Si3N4とβ’-サイアロンの結晶相の析出比がX線回折のピーク強度比で99:1から50:50になるように1次焼結した後、1300〜1700°C、N2ガス中で相対密度が98%以上になるように2次焼結する。
請求項（抜粋）：
Si3N4-第1助剤-第2助剤の3元組成図において、第1助剤がY2O3及びMgOの2種よりなる組合わせからなり、一方第2助剤がAl2O3及びAlNの1種または2種より選ばれた組合わせよりなり、その組成の範囲が図1に示される範囲、すなわちSi3N4と第1助剤の添加組成比がモル%で85:15から99:1の範囲であり、かつSi3N4と第2助剤の添加組成比がモル%で90:10から99:1の範囲で示される図1中の点A、B、C、Dで囲まれる範囲にあり、得られた焼結体中の結晶相にα-Si3N4とβ ́-サイアロンの双方を含み、その焼結体の相対密度が98%以上であることを特徴とする窒化ケイ素系焼結体。
IPC (3件)：
C04B 35/58 102
, C04B 35/58
, C04B 35/58 302
