特許
J-GLOBAL ID：200903005015655043
デバイス製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-293171
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283585
出願日： 1996年10月16日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 ウェハのほぼ全表面上にトポグラフィを有する小さいデザインルールのデバイスを製造するプロセスにおいて使用可能なプロセス制御のための偏光解析法を実現する。【解決手段】 偏光解析器30の入射光は、基板40のトポグラフィ表面に入射する。表面がプラズマエッチングのような通常の手段によってパターン形成されながら、特定の波長におけるΔおよびΨが取得される。プラズマエッチングが完了すると、基板上の層の膜厚が測定される。膜厚は、パターン転写後、二重層の膜がエッチングされている間に取得したトレースをモデルトレースと比較することによって決定される。モデルトレースは、エッチングプロセス中の時間の関数として偏光解析信号ΔおよびΨを計算することによって得られる。モデルは、基板の表面上には異なる反射率の領域があるという事実を使用する。
請求項（抜粋）：
基板の反射率とは異なる反射率を有する少なくとも一つの材料層からなる膜を基板上に有し平坦でない表面を有するサンプルを容器に入れるステップと、前記基板上の膜の少なくとも一部の厚さを変化させる条件下に前記サンプルを置くステップと、前記サンプルから反射される偏光の信号を検出する少なくとも一つの波長を選択するステップと、前記膜の厚さが変化する間に偏光の信号を生成し該信号を前記サンプルに入射させるステップと、前記サンプルから反射される偏光の信号を検出し、偏光の入射面に平行な偏光および垂直な偏光の強度の時間に関するトレースを取得するステップと、検出したトレースを、選択された波長において前記基板上の膜の厚さを近似するモデルトレースと比較するステップと、前記モデルトレースを取得したトレースに当てはめることによって前記基板上の膜の厚さを決定するステップとからなることを特徴とするデバイス製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/66
, G01B 11/06
, H01L 21/3065
H01L 21/66 P
, G01B 11/06 Z
, H01L 21/302 E
