特許
J-GLOBAL ID:200903005017488071
成膜方法、電子デバイス用基板、電子デバイスおよび電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件):
稲葉 良幸
, 田中 克郎
, 大賀 眞司
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-329303
公開番号(公開出願番号):特開2007-141892
出願日: 2005年11月14日
公開日(公表日): 2007年06月07日
要約:
【課題】特性の良好な金属酸化膜を提供し、電子デバイスの特性を向上させる。【解決手段】電子デバイス(例えば、液晶表示装置のTFT部)の製造において、基板100上に例えば透明導電性膜となる、金属アルコキシド塗布膜を形成し、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、金属アルコキシド塗布膜を焼成するとともに、形成される透明導電性膜(金属酸化膜)の改質を行う。かかる熱処理によれば、火炎中もしくは火炎の周囲の水酸基ラジカル(OH*)や酸素ラジカル(O*)等により、加水分解や重縮合反応が促進され、未反応部が低減し、透明導電性膜(金属酸化膜)の膜質が向上する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
成膜方法であって、
基板上に塗布された有機金属化合物溶液に、水素及び酸素の混合ガスを燃料とするガスバーナーの火炎を熱源とした熱処理を施し、有機金属化合物溶液の加水分解もしくは重縮合反応を促進することにより、前記有機金属化合物が焼成して成る導電性膜を形成する工程を有することを特徴とする成膜方法。
IPC (7件):
H01L 21/288
, H01L 29/786
, H01L 21/28
, H01L 29/417
, H01L 23/52
, H01L 21/320
, G02F 1/134
FI (6件):
H01L21/288 Z
, H01L29/78 612C
, H01L21/28 301R
, H01L29/50 M
, H01L21/88 M
, G02F1/1343
Fターム (66件):
2H092GA11
, 2H092JA24
, 2H092JA34
, 2H092JA37
, 2H092JA41
, 2H092MA02
, 2H092MA08
, 2H092MA10
, 2H092MA13
, 2H092MA17
, 2H092NA25
, 2H092PA01
, 2H092PA02
, 2H092PA13
, 4M104AA01
, 4M104AA08
, 4M104AA09
, 4M104BB02
, 4M104BB17
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC05
, 4M104DD16
, 4M104DD37
, 4M104DD51
, 4M104DD78
, 4M104DD79
, 4M104GG09
, 4M104GG20
, 4M104HH16
, 5F033HH08
, 5F033HH38
, 5F033JJ38
, 5F033KK04
, 5F033PP15
, 5F033PP26
, 5F033QQ73
, 5F033QQ81
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F033WW04
, 5F033XX08
, 5F110AA03
, 5F110BB01
, 5F110CC02
, 5F110DD02
, 5F110DD03
, 5F110DD13
, 5F110EE03
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF02
, 5F110FF30
, 5F110GG02
, 5F110GG13
, 5F110GG44
, 5F110HJ01
, 5F110HJ13
, 5F110HL07
, 5F110HL22
, 5F110HL27
, 5F110NN02
, 5F110NN23
, 5F110NN36
, 5F110NN72
, 5F110QQ11
引用特許:
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