フラッシュメモリを搭載した半導体記憶装置における装置寿命警告発生システムとその方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青山葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-310120
公開番号（公開出願番号）：特開2003-085054
出願日： 2001年10月05日
公開日（公表日）： 2003年03月20日
要約：

【要約】【課題】フラッシュメモリが使用不可能となる前に、寿命が近づいたことを確認できる半導体カード等のフラッシュストレージデバイスを提供する。【解決手段】代替領域に制限のあるフラッシュメモリを搭載したフラッシュストレージデバイスにおいて、データの書き込み時にエラー発生有りと判定した場合に代替領域への書き換えを行い、書き換え完了後、代替領域の残数を算出し、算出された代替残数を設定値と比較チェックし、代替残数が設定値より小さければ、警告を発生し、寿命を超えて使用して機能障害が生じるといったことを未然に防止する。

請求項（抜粋）：

代替領域に制限のあるフラッシュメモリを搭載し、データの書き込み・読み出しを行う半導体記憶装置であって、データの書き込みにおいてエラー発生の有無を判定するエラー判定部と、前記エラー発生が有ると判定された場合は、前記代替領域へデータの書き換えを行う代替書き換え処理部と、前記代替書き換え完了後、前記代替領域の残数を算出する代替残数算出部と、前記算出された代替残数を予め設定された所定値と比較する代替残数チェック部と、前記代替残数が前記所定の設定値より小さい値であれば、警告を発生する警告発生部、とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (6件)：

G06F 12/16 310 , G06F 12/16 , G06F 3/06 304 , G06F 3/08 , G11C 16/02 , G11C 29/00 631

FI (7件)：

G06F 12/16 310 C , G06F 12/16 310 P , G06F 3/06 304 N , G06F 3/08 C , G11C 29/00 631 D , G11C 17/00 601 E , G11C 17/00 601 P

Fターム (19件)：

5B018GA04 , 5B018HA23 , 5B018KA02 , 5B018KA13 , 5B018KA18 , 5B018MA23 , 5B018NA06 , 5B018QA15 , 5B025AD00 , 5B025AE08 , 5B025AE09 , 5B065BA09 , 5B065EA13 , 5B065EA19 , 5B065EK03 , 5L106AA10 , 5L106BB01 , 5L106BB12 , 5L106GG05

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