特許

J-GLOBAL ID：200903005021416301

誘電体及びその製造方法並びに半導体装置

発明者： 福田 琢也 ,  金井 史幸 ,  加藤 聖隆
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-040929
公開番号（公開出願番号）：特開平8-298260
出願日： 1996年02月28日
公開日（公表日）： 1996年11月12日
要約：

【要約】【課題】半導体装置の配線間を絶縁する誘電体膜の誘電率を低減し、信号の配線遅延を緩和する。【解決手段】Si-F,Si-O結合を有する酸化フッ化珪素膜を、半導体装置の配線の絶縁に用いる。また、SiF2X2(X=H,Cl,OCH3,OC2H5,OC3H7)を反応ガスとして用い、誘電体膜を形成する。【効果】Si-F,Si-O結合を有する酸化フッ化珪素膜は、Si-Si結合やO-F結合を含んだ酸化フッ化珪素膜より誘電率が小さいので、配線遅延が少なくなり信頼性の高い半導体装置が製造できる。

請求項（抜粋）：

フッ素原子と珪素原子の共有結合を有する酸化フッ化珪素物を含むことを特徴とする誘電体。

IPC (2件)：

H01L 21/314 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/314 A ,  H01L 21/90 K