熱処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-054541
公開番号（公開出願番号）：特開2002-261036
出願日： 2001年02月28日
公開日（公表日）： 2002年09月13日
要約：

【要約】【課題】熱処理時の基板上における処理ガス供給量の均一化が図られ、基板の膜厚分布の均一化が図れる熱処理装置を提供する。【解決手段】この熱処理装置では、処理室内に処理ガスをシャワー状に導入するためのシャワープレート30が処理室内の基板W上方に設けられている。シャワープレート30には、複数個のガス導入孔31が、基板Wに垂直な所定の対称軸Asを中心としてn回回転対称性(nは2以上の自然数)を有するように配列されている。そして、その対称軸Asと基板Wを回転させる際の回転軸Arとが、基板Wの回転面と平行な方向にずらされている。そのずらし距離D2は、ガス導入孔31間の最短隣接間隔D1の概ね5分の1以上、2分の1以下の範囲内に設定される。

請求項（抜粋）：

処理室内に処理ガスを導入し、その処理室内において基板を回転させつつ、その基板を加熱して熱処理を行う熱処理装置であって、基板を加熱する加熱手段と、基板に対して対向配置され、前記処理ガスを前記処理室内に導入する複数個のガス導入孔を有し、その複数個のガス導入孔が、基板に垂直な所定の対称軸を中心としてn回回転対称性(nは2以上の自然数)を有するように配列された処理ガス導入手段と、所定の回転軸を中心として基板を回転させる回転手段と、を備え、前記対称軸と前記回転軸とを基板と略平行な方向に沿ってずらすことを特徴とする熱処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/26 , C23C 14/02 , C23C 16/02 , H01L 21/31

FI (5件)：

C23C 14/02 Z , C23C 16/02 , H01L 21/31 B , H01L 21/26 G , H01L 21/26 Q

Fターム (25件)：

4K029AA04 , 4K029AA06 , 4K029AA09 , 4K029DA08 , 4K029FA06 , 4K029FA07 , 4K029JA02 , 4K030CA04 , 4K030CA06 , 4K030DA02 , 4K030GA05 , 4K030LA15 , 4K030LA18 , 4K030LA19 , 5F045AA03 , 5F045BB01 , 5F045BB02 , 5F045DP03 , 5F045EF05 , 5F045EF11 , 5F045EK11 , 5F045EK12 , 5F045EK22 , 5F045EM06 , 5F045EM10

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