特許

J-GLOBAL ID：200903005023559088

光電変換材料用半導体、光電変換素子及び太陽電池

発明者： 大福 幸司 ,  山田 岳俊 ,  北 弘志
出願人/特許権者： コニカミノルタホールディングス株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-278606
公開番号（公開出願番号）：特開2004-119099
出願日： 2002年09月25日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】本発明の目的は、優れた光電変換効率と安定性とを両立する光電変換材料用半導体並びに光電変換素子を提供することにある。さらに、この光電変換材料用半導体及び光電変換素子を用いた太陽電池を提供することにある。【解決手段】下記一般式(1)で表される化合物が半導体表面に吸着されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。【化1】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される化合物が半導体表面に吸着されていることを特徴とする光電変換材料用半導体。

IPC (2件)：

H01M14/00 ,  H01L31/04

FI (2件)：

H01M14/00 P ,  H01L31/04 Z

Fターム (15件)：

5F051AA07 ,  5F051AA14 ,  5F051BA18 ,  5F051CB13 ,  5F051FA03 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03 ,  5H032AA06 ,  5H032AS06 ,  5H032AS16 ,  5H032AS19 ,  5H032CC16 ,  5H032EE03 ,  5H032EE04 ,  5H032EE20