特許

J-GLOBAL ID：200903005027864829

半導体製造装置

発明者： 井手 繁章
出願人/特許権者： 九州日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287235
公開番号（公開出願番号）：特開平6-140350
出願日： 1992年10月26日
公開日（公表日）： 1994年05月20日
要約：

【要約】【目的】縦型炉芯管に入炉中の石英ボートに複数枚のウェハを水平に搭載し、このウェハ間に残存する空気を除去することにより、高品質の酸化膜(ゲート酸化膜等)を形成する。【構成】複数枚のウェハ2を石英ボート4に水平に搭載して縦型の石英管3に下方向から入炉させ、ウェハ2の酸化,拡散散処理を行う半導体製造装置において、石英管3の炉口部に窒素ガスパージノズル1を設け、入炉中のウェハ2と平行方向に窒素ガスを吹き出す構造を有する。

請求項（抜粋）：

複数の半導体基板をボートに水平に搭載して縦型炉芯管に下方向から入炉させ、半導体基板の酸化,拡散処理を行う半導体製造装置において、前記縦型炉芯管の炉口部に窒素ガスパージノズルを設け、入炉中の半導体基板と平行方向に窒素ガスを吹き出すことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/22 ,  H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-148113
  
• 特開平2-045919
  
• 特開昭62-206826