特許

J-GLOBAL ID：200903005032420904

エッチング可能なヘテロ接合界面

発明者： サンディープ・アール・バール ,  ユ-ミン・ハング ,  バージニア・エム・ロビンス ,  フレッド・サギーウォ
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク
代理人 (1件)： 奥山 尚一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-219115
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124520
出願日： 2001年07月19日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 微細化が可能なヘテロ接合のエッチング特性を実現する。【解決手段】 遷移エッチング層(20)が上部層(12)と下部層(14)との間に設けられており、好ましくないエッチング特性を持った材料組成の形成が防止できる。遷移エッチング層(20)は上部層(12)と下部層14とが相互に混合してしまうことを防ぐ。

請求項（抜粋）：

基板上に下部層を形成するステップと、前記下部層上に遷移エッチング層を形成するステップと、前記遷移エッチング層上に上部層を形成するステップとを含む物質成長方法であって、前記遷移エッチング層は、前記下部層と実質的に異なる組成と前記下部層に対して実質的に非選択的なエッチング可能性とにより特徴づけられる物質が、前記下部層及び前記上部層により形成されることを実質的に防ぐものであることを特徴とする方法。

IPC (7件)：

H01L 21/331 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/205 ,  H01L 29/737 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/72 H ,  H01L 29/80 H ,  H01L 21/302 J

Fターム (22件)：

5F003BA01 ,  5F003BA92 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP14 ,  5F003BP96 ,  5F004AA03 ,  5F004DB00 ,  5F004DB20 ,  5F004EA10 ,  5F004EA23 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR10 ,  5F102HC15