特許

J-GLOBAL ID：200903005037599015

半導体装置

発明者： 朝日 良典
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-324155
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160278
出願日： 1991年12月09日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】同一配線層の配線間に形成される絶縁膜,および,異なる配線層に属する配線間もしくは基板と配線との間に形成される絶縁膜の構造を変え,素子を微細化させる際に生じるカップリングやクロスト-ク等をなくす。【構成】半導体基板11上には,絶縁膜12が形成されている。絶縁膜12の誘電率はε<SB>1 </SB>である。絶縁膜12上には複数の配線13が形成されている。複数の配線13の間には,絶縁膜14Aが形成されている。絶縁膜14Aの誘電率はε<SB>2 </SB>である。そして,ε<SB>2 </SB><ε<SB>1 </SB>の関係を有する。なお,絶縁膜12の比誘電率は3.9以上,絶縁膜14Aの比誘電率は3.0以下である。これにより,配線間隔が縮小されても,カップリングやクロスト-ク等が生じない。

請求項（抜粋）：

半導体基板と,前記半導体基板上に形成される配線層と,前記配線層下に形成される第1の絶縁膜と,少なくとも前記配線層の間に形成される第2の絶縁膜とを具備し,前記第2の絶縁膜の誘電率が前記第1の絶縁膜の誘電率に比べて小さいことを特徴とする半導体装置。