特許
J-GLOBAL ID:200903005039294203
磁気記録素子
発明者:
,
出願人/特許権者:
,
代理人 (4件):
小島 隆司
, 重松 沙織
, 小林 克成
, 石川 武史
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-064138
公開番号(公開出願番号):特開2007-242936
出願日: 2006年03月09日
公開日(公表日): 2007年09月20日
要約:
【課題】熱誘起スピン遷移がクロスヒステリシスループを形成する遷移金属錯体を用いた磁気記録素子を提供すること。【解決手段】式(1)で表される金属錯体を用いた磁気記録素子。〔式中、R1、R2、R3、R4、R5、及びR6は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、炭素数1〜10のアルキル基等を表し、Mは、Mn(II)、Mn(III)、Fe(II)、Fe(III)、Co(II)、Co(III)、又はNi(II)を表し、Xは、CF3SO3-、CH3-Ph-SO3-、NCS-、CN-、Cl-、Br-、BF4-、BPh4-、ClO4-、又はPF6-を表し、nが2又は3を表す。〕【選択図】 なし
請求項(抜粋):
熱誘起スピン遷移がクロスヒステリシスループを形成する遷移金属錯体を用いることを特徴とする磁気記録素子。
IPC (1件):
FI (1件):
Fターム (3件):
5E040BD05
, 5E040CA06
, 5E040CA16
引用特許:
出願人引用 (7件)
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「インオーガニック・ケミストリー(Inorg. Chem.)」、(米国)、2005年、第44巻、p.7295-7297
-
「アンゲバンテ・ケミー・インターナショナル・エディション(Angew. Chem. Int. Ed.)」、(独)、2005年、第44巻、p.4899-4903
-
光制御性分子磁性体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-238951
出願人:財団法人神奈川科学技術アカデミー, 科学技術振興事業団
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配位子/遷移金属錯体とその光データ記憶への使用
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-113364
出願人:サントル・ナシオナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シアンティフィク
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単分子磁石及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-177595
出願人:日産化学工業株式会社
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特開平4-074193
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単分子磁石
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-064098
出願人:国立大学法人九州大学, 日産化学工業株式会社
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審査官引用 (5件)
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光制御性分子磁性体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-238951
出願人:財団法人神奈川科学技術アカデミー, 科学技術振興事業団
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配位子/遷移金属錯体とその光データ記憶への使用
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-113364
出願人:サントル・ナシオナル・ドゥ・ラ・ルシェルシュ・シアンティフィク
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単分子磁石及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-177595
出願人:日産化学工業株式会社
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特開平4-074193
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単分子磁石
公報種別:公開公報
出願番号:特願2006-064098
出願人:国立大学法人九州大学, 日産化学工業株式会社
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