特許
J-GLOBAL ID:200903005040128767

多層配線基板

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-306669
公開番号(公開出願番号):特開平10-150268
出願日: 1996年11月18日
公開日(公表日): 1998年06月02日
要約:
【要約】【課題】ボンディングパッドに半導体素子等を確実、強固に電気的接続することができない。【解決手段】基板1上に、有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体3とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体3を有機樹脂絶縁層2に設けたスルーホール導体6を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層2a上面に、前記薄膜配線導体3と電気的に接続し、外部の電子部品8が接続されるボンディングパッド7を設けて成る多層配線基板であって、前記最上層の有機樹脂絶縁層2aの少なくともボンディングパッド7の下部に位置する領域が150°Cにおいて直径1mmφの針を10gfで押圧したとき、針の侵入深さが10μm以下である。
請求項(抜粋):
基板上に、有機樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホール導体を介して電気的に接続してなり、最上層の有機樹脂絶縁層上面に、前記薄膜配線導体と電気的に接続し、外部の電子部品が接続されるボンディングパッドを設けて成る多層配線基板であって、前記最上層の有機樹脂絶縁層の少なくともボンディングパッドの下部に位置する領域が150°Cにおいて直径1mmφの針を10gfで押圧したとき、針の侵入深さが10μm以下であることを特徴とする多層配線基板。
IPC (2件):
H05K 3/46 ,  H01L 23/12
FI (4件):
H05K 3/46 E ,  H05K 3/46 N ,  H05K 3/46 Q ,  H01L 23/12 N

前のページに戻る