特許
J-GLOBAL ID：200903005040423718
樹脂封止型電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-205104
公開番号（公開出願番号）：特開平8-070093
出願日： 1994年08月30日
公開日（公表日）： 1996年03月12日
要約：
【要約】【目的】 スイッチングスピードを遅延化することなくスイッチングノイズを抑制でき、作業性や生産性等に優れた低原価の樹脂封止型電界効果トランジスタを提供することを目的とする。【構成】 金属性基板2と、MOS-FET素子3と、外部リード端子11と、樹脂パッケージ14と、を備えた樹脂封止型電界効果トランジスタであって、MOS-FET素子3のゲート電極と外部リード端子11との間に直列に接続されかつ樹脂パッケージ14内に樹脂封止されたスイッチングノイズ防止用EMIビーズコア5を備えた構成を有している。
請求項（抜粋）：
金属性基板と、前記金属性基板の上面に接地された電界効果トランジスタ素子と、前記電界効果トランジスタ素子のゲート電極,ドレイン電極及びソース電極とボンディングワイヤを介して接続された外部リード端子と、前記外部リード端子の一端部を露出して前記金属性基板,前記電界効果トランジスタ素子及び前記外部リード端子を樹脂封止する樹脂パッケージと、を備えた樹脂封止型電界効果トランジスタであって、前記電界効果トランジスタ素子の前記ゲート電極,前記ドレイン電極及び前記ソース電極と前記外部リード端子との間にそれぞれ直列に接続されかつ前記樹脂パッケージ内に樹脂封止されたスイッチングノイズ防止用EMIビーズコアを備えたことを特徴とする樹脂封止型電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
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