特許
J-GLOBAL ID：200903005048364494
半導体装置およびその作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
加藤 恭介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-346876
公開番号（公開出願番号）：特開平6-342908
出願日： 1978年10月07日
公開日（公表日）： 1994年12月13日
要約：
【要約】【目 的】 ゲート絶縁膜を作製する際に、非単結晶半導体の結晶化を促進させると共に、ゲート絶縁膜の作製および非単結晶半導体の結晶化において、脱気した気体を添加する。【構 成】 絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタは、不純物が添加されていない真性または実質的に真性の非単結晶シリコン薄膜を熱酸化することによりゲート酸化膜が形成される。そして、ゲート絶縁膜か形成された後、前記熱酸化で脱気した水素またはハロゲン元素は、前記非単結晶シリコン内に添加される。
請求項（抜粋）：
絶縁表面を有する基板上に形成された薄膜トランジスタにおいて、不純物が添加されていない真性または実質的に真性の非単結晶シリコン薄膜を熱酸化することにより形成されたゲート酸化膜を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 21/336
H01L 29/78 311 G
, H01L 29/78 311 Y
