特許
J-GLOBAL ID：200903005048543402
プラズマCVD装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-077687
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283344
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】成膜条件にかかわりなく、大面積の基板上に均一かつ均質に薄膜を形成できるプラズマCVD装置を提供する。【構成】反応容器1と、この反応容器内に反応ガスを供給し、排出する手段と、反応容器1内に収容された、線材がはしご状に組み合わされた形状の平面形コイル電極12と、この平面形コイル電極12にグロー放電用電力を供給する電源14とを有し、反応容器1内に設置された基板16表面に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD装置において、平面形コイル電極12を構成する線材に、線材の温度を各々独立に制御できるようにヒータを組み込み、反応容器1内の反応ガス圧力分布を各々の線材の温度により制御する。
請求項（抜粋）：
反応容器と、この反応容器内に反応ガスを供給し、排出する手段と、上記反応容器内に収容された、線材がはしご状に組み合わされた形状の平面形コイル電極と、この平面形コイル電極にグロー放電用電力を供給する電源とを有し、反応容器内に設置された基板表面に非晶質薄膜を形成するプラズマCVD装置において、上記平面形コイル電極を構成する線材に、線材の温度を各々独立に制御できるようにヒータを組み込み、反応容器内の反応ガス圧力分布を各々の線材の温度により制御することを特徴とするプラズマCVD装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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