特許

J-GLOBAL ID：200903005059414124

半導体エネルギー検出器

発明者： 赤堀 寛 ,  村松 雅治 ,  山本 晃永
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-312255
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138365
出願日： 1998年11月02日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：

【要約】【課題】 充分な基板の機械的強度と、小さい基板抵抗とを有する裏面照射型の半導体エネルギー検出器を提供する。【解決手段】 基板1の裏面側に、裏面照射によるエネルギー線検出を可能にするための薄形部2と、その周辺の基板枠1aとに加えて、薄形部2を分割するように基板梁1bを形成することによって、薄形部2について基板の充分な機械的強度を確保し、また、薄形部2の歪みを抑制して、それによる検出時の焦点ぼけ等を防ぐことができる。また同時に、基板抵抗が高い薄形部2の各部位から、基板抵抗が低い基板枠1aまたは基板梁1bまでの距離を充分短く設定することによって、基板抵抗を低減して高速読み出し動作を可能にすることができる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面に電荷読み出し部が形成されている半導体エネルギー検出器において、前記半導体基板の裏面には、前記半導体基板が薄形化されて、エネルギー線の検出が行われる複数の薄形部と、前記半導体基板の周縁部に形成されて、前記複数の薄形部をその内側領域に含む基板枠と、前記基板枠の内側領域において、前記複数の薄形部についてのそれぞれの境界部分に形成されている単一または複数の基板梁と、が形成されていることを特徴とする半導体エネルギー検出器。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 K

Fターム (25件)：

4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA12 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118BA30 ,  4M118DB01 ,  4M118DD04 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118FA06 ,  4M118FA38 ,  4M118GA02 ,  4M118GA10 ,  5C024AA11 ,  5C024AA16 ,  5C024CA16 ,  5C024CA31 ,  5C024FA01 ,  5C024GA11 ,  5C024GA24 ,  5C024JA34