特許

J-GLOBAL ID：200903005060322250

半導体装置

発明者： 古畑 智之
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-046907
公開番号（公開出願番号）：特開平6-260554
出願日： 1993年03月08日
公開日（公表日）： 1994年09月16日
要約：

【要約】【目的】耐湿性を維持しながら、製造加工程等の影響の受けずらい、高信頼性と高歩留りを有する半導体装置を提供する。【構成】半導体基板1の一主面上に第1の層間絶縁膜をなすBPSG膜3と、1層目のアルミ配線層4aと2層目のアルミ配線層6aとの層間絶縁膜をなすシリコン酸化膜5と、前記アルミ2層配線層とを具備し、前記BPSG膜3とシリコン酸化膜5の積層からなる絶縁膜の表面および側面が、前記2層目のアルミ配線層6および、前記2層目のアルミ配線層6の直上に配設されたシリコン窒化膜7からなるパッシベ-ション膜で覆われるようにしてなるスクライブ・ライン構造を有する。

請求項（抜粋）：

半導体基板の一主面上に複数の層間絶縁膜と少なくとも2層以上の金属配線層とを具備する半導体装置において、前記複数の層間絶縁膜の積層からなる絶縁膜の少なくとも表面および側面が前記金属配線層の最上層の金属配線層および前記金属配線層直上のパッシベ-ション膜で覆われるようにしてなるスクライブ・ライン構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/78 ,  H01L 21/318 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/90