特許

J-GLOBAL ID：200903005061704067

化合物半導体単結晶の製造方法及びその製造装置

発明者： 和地 三千則 ,  水庭 清治 ,  井谷 賢哉
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-153754
公開番号（公開出願番号）：特開平11-001400
出願日： 1997年06月11日
公開日（公表日）： 1999年01月06日
要約：

【要約】【課題】結晶成長の過程で固液界面形状を制御して、結晶欠陥の発生を防ぐ。【解決手段】るつぼ10に原料融液8を収納し、るつぼ10の底部に予め配置した種結晶2から結晶成長を開始し、るつぼ10内上方に向け結晶化を進行させ、原料融液8全体を結晶化させる。この際、原料融液8中に高温安定性物質からなる同軸的に配設した3重の筒体5、6、7を挿入し、結晶成長の過程で筒体5、6、7を固液界面の移動に連動して結晶成長方向に移動させ、且つるつぼ10と筒体5、6、7とを相対的に回転させる。これにより原料融液8に強制対流を起こさせて、固液界面形状を融液側へ凸になるように制御する。

請求項（抜粋）：

容器に原料融液を収納し、前記容器の底部に予め配置した種結晶より結晶成長を開始し、容器内上方に向け結晶化を進行させ、前記原料融液全体を結晶化させる化合物半導体単結晶の製造方法において、前記原料融液中に高温安定性物質からなる筒体を挿入し、結晶成長の過程で前記筒体を固液界面の移動に連動して結晶成長方向に移動させ、且つ前記容器と前記筒体とを相対的に回転させて、固液界面形状を制御することを特徴とする化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 11/00 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 11/00 Z ,  H01L 21/208 T