特許

J-GLOBAL ID：200903005063291630

半導体装置

発明者： 楠田 和彦 ,  古本 憲輝
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-123654
公開番号（公開出願番号）：特開2005-310930
出願日： 2004年04月20日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：

【課題】 製造された後においても出力端子間が導通・開放されるまでの時間を所望の値に調整することができる半導体装置を、簡易な構成にて提供すること。【解決手段】 本発明の半導体装置1は、入力端子1a,1b間に接続される発光素子2と、フォトダイオードアレイ3と、与えられる磁力の大きさにより抵抗値が変化する磁気抵抗素子40を備えたインピーダンス変化回路4と、磁気抵抗素子40と磁気的に結合させた磁力発生手段5と、出力端子1c,1d間に接続される出力用MOSFET(出力用素子)61,62と、を有してなるものにおいて、磁力発生手段5により発生させた磁力の大きさによりインピーダンス変化回路4のインピーダンスの変化時間が可変とされて、半導体装置1の出力端子1c,1dが導通・開放されるまでの時間を所望の値に調整することが可能にされたことを特徴としている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

入力信号に応じて光を発生させる発光素子と、発光素子からの光を受光して光起電力を発生させるフォトダイオードアレイと、フォトダイオードアレイと接続されて、フォトダイオードアレイによる光起電力の発生時にその出力端子間が高インピーダンス状態となり光起電力の消失時にその出力端子間が低インピーダンス状態となるインピーダンス変化回路と、を有してなり、入力信号に応じて出力端子間に所定の電圧が出力される半導体装置において、 前記インピーダンス変化回路には、与えられる磁力の大きさにより抵抗値が変化する磁気抵抗素子が備えられたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L31/12 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L43/08 ,  H03K17/78

FI (4件)：

H01L31/12 F ,  H01L43/08 U ,  H03K17/78 H ,  H01L27/04 F

Fターム (16件)：

5F038AV20 ,  5F038DF01 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ20 ,  5F089CA21 ,  5F089FA10 ,  5J050AA35 ,  5J050BB21 ,  5J050DD03 ,  5J050DD08 ,  5J050DD14 ,  5J050EE13 ,  5J050EE17 ,  5J050EE22 ,  5J050FF04 ,  5J050FF10

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特公平4-81894号公報(第3頁、第2図)