特許
J-GLOBAL ID：200903005064336301
磁性メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梶原 康稔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-221409
公開番号（公開出願番号）：特開2002-042457
出願日： 2000年07月21日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 一つのメモリセルで多値の情報の記録再生を行うことで、高密度化に良好に対応することができる磁性メモリを提供する。【解決手段】 第一磁性層14より保磁力Hcの高い第二磁性層18,20を備えている。情報の記録時は、各磁性層14,18,20の磁化の向きを組み合わせて、3値記録を行う(A〜C)。情報の再生時は、ワード線24によって、左向きから右向きへ反転するパルス磁界を磁性メモリに印加する(D)。各磁性層14,18,20の磁化方向に応じて抵抗状態が変化し(E〜G)、これによって論理値の「0」,「1」及び「2」が判別される。
請求項（抜粋）：
第一磁性層,絶縁層,第二磁性層の順に積層されており、トンネル磁気抵抗効果を利用して情報を記憶する磁性メモリであって、前記第二磁性層が、互いに異なる保磁力を有する複数の領域を含むことを特徴とする磁性メモリ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G11C 11/15
, H01L 43/08 Z
