特許

J-GLOBAL ID：200903005070810015

半導体ウェ-ハの製造方法

発明者： 田中 恵一 ,  黒田 幸夫 ,  浅川 慶一郎 ,  加賀谷 修
出願人/特許権者： 三菱マテリアルシリコン株式会社 ,  三菱マテリアル株式会社
代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-079510
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246216
出願日： 1996年03月06日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウェーハの製造方法にあってエッチングレスプロセスを提供する。消費するエッチング液量を低減する。得られた半導体ウェーハの平坦度を良好ならしめる。研磨量・研磨時間を減じて、スループットを高める。【解決手段】 シリコンインゴットをスライスする。シリコンウェーハを面取りする。シリコンウェーハの表裏両面を同時に研削する。これに替えて、ラップ、片面毎の研削でも良い。研削量は両面合計で10〜40μmである。CCR工程でウェーハの面取り面をエッチングし加工歪みなどを除去する。PCR加工をさらに施しても良い。シリコンウェーハの表裏両面に機械的化学的研磨を施し、研削・ラップ加工歪みを除去する。ドナーキラー熱処理、ゲッタリング処理を施す。最後に仕上げ鏡面研磨、洗浄を実施し、高平坦度ウェーハを得る。

請求項（抜粋）：

スライス工程、面取り工程、CCR工程を含む半導体ウェーハの製造方法において、上記CCR工程の後の半導体ウェーハの両面を研磨する両面研磨工程を備えた半導体ウェーハの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 311 ,  H01L 21/304 301 ,  H01L 21/304 321 ,  H01L 21/322

FI (4件)：

H01L 21/304 311 A ,  H01L 21/304 301 B ,  H01L 21/304 321 B ,  H01L 21/322 G