特許
J-GLOBAL ID：200903005073074859
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-080544
公開番号（公開出願番号）：特開平6-296033
出願日： 1993年04月07日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、回路破損を招くことなく陽極接合部を横切る配線取り出しを可能ならしめることを目的とする。【構成】 この発明は、n型基板1とガラス基板2とを高電圧電源7、針状電極3を用いて陽極接合して得られる陽極接合部を横切る配線としてp+ 拡散配線4を用いて構成される。
請求項（抜粋）：
陽極接合される第1の部材及び第2の部材と、陽極接合される第1の部材及び第2の部材の陽極接合部を横切る配線とから構成される半導体装置において、前記陽極接合部を横切る配線が、前記陽極接合される第1の部材又は第2の部材の表面あるいは内部にp-n接合分離されて形成された拡散配線からなることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
, H01L 21/02
, H01L 21/90
