特許
J-GLOBAL ID：200903005077836290
化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉浦 正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-131871
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330616
出願日： 1998年05月14日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 Inを含む化合物半導体層をInを含まない化合物半導体層で挟んだ積層構造を形成する場合に、良好な結晶性を有する化合物半導体層を、複雑な成長過程を用いることなく容易に形成することができる化合物半導体層の成長方法およびそのような化合物半導体層の成長方法を用いることで、特性の良好な半導体レーザなどを製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 AlGaInAs歪み活性層を有するSCH構造のAlGaAs系半導体レーザの製造方法において、n型GaAs基板1上に、MOCVD法により、730°C以上830°C以下の一定の成長温度、例えば795°Cで、n型AlGaAsクラッド層2、n型AlGaAs光導波層3、AlGaInAs歪み活性層4、p型AlGaAs光導波層5、p型AlGaAsクラッド層6、p型GaAsキャップ層7を連続成長させる。AlGaInAs活性層4の成長速度は、毎秒0.5nm以上10nm以下とする。
請求項（抜粋）：
有機金属化学気相成長法により、半導体基板上に(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>1-y </SB>As層(ただし、0≦x≦1、0≦y<1)をAl<SB>z </SB>Ga<SB>1-z </SB>As層(ただし、0≦z≦1)で挟んだ積層構造を形成する際に、上記(Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>)<SB>y </SB>In<SB>1-y </SB>As層および上記Al<SB>z </SB>Ga<SB>1-z </SB>As層を730°C以上830°C以下の一定の成長温度で成長させるようにしたことを特徴とする化合物半導体層の成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
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