特許

J-GLOBAL ID：200903005079880032

無機誘電体薄膜の製造方法

発明者： 田畑 仁 ,  村田 修 ,  藤岡 順三 ,  南方 俊一 ,  川合 知二 ,  河合 七雄
出願人/特許権者： 川崎重工業株式会社
代理人 (1件)： 西森 正博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-266786
公開番号（公開出願番号）：特開平5-230632
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年09月07日
要約：

【要約】【目的】 レーザビーム蒸着法による無機誘電体薄膜の製造方法において、C軸配向した結晶化膜を低温条件にて形成する。【構成】 蒸着中に、基板4や蒸発気相に対してもレーザビームを照射する。基板4や蒸着気相への照射用レーザビームは、蒸着用レーザビームと比較して、成膜物質や蒸発気相に対する吸収効率が同等又はそれよりも高いレーザビームを使用するのが好ましい。

請求項（抜粋）：

高融点金属と低融点金属との複合酸化物より成る無機誘電体薄膜を、生成した励起種等を利用した蒸着法によって基板上に形成するための無機誘電体薄膜の製造方法において、蒸着中に、基板に対してレーザビームを照射することを特徴とする無機誘電体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C23C 14/28 ,  C01B 13/14 ,  C01G 21/00 ,  C01G 23/00 ,  C30B 23/08