特許

J-GLOBAL ID：200903005083825992

半導体装置の製造方法

発明者： 大野 力一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-181984
公開番号（公開出願番号）：特開平11-026356
出願日： 1997年07月08日
公開日（公表日）： 1999年01月29日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、工程の増加・煩雑化を招くことなく、イオン注入用マスクとして使用したレジストをアッシングする際のポッピングの発生を防止して、信頼性の向上と製造歩留りの向上を実現することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 レジスト12の現像後、コンベクション型のベーキング装置を用いてポストベークを行う。このとき、このポストベークの温度条件を従来よりも高温の140°C以上に設定することにより、レジスト12全体をある程度硬化させて、内部に含有されるN2 ガスをかなりの程度放出する。このため、このポストベーク後のレジスト12をマスクとして高ドーズ量のイオン注入を行った後にプラズマアッシングする際、レジスト12内部のN2 ガス14がレジスト12表面の硬化層を突き破って飛び出すポッピングが発生することはなくなる。

請求項（抜粋）：

所定のパターンに現像したレジストをマスクとして、半導体基板にイオン注入を行った後、前記レジストをアッシングによって剥離する半導体装置の製造方法であって、前記レジストを現像した後、前記レジストをマスクとするイオン注入を行う前に、140°C以上の温度において前記レジストのベークを行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/3065

FI (3件)：

H01L 21/30 571 ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/302 H