特許

J-GLOBAL ID：200903005086051394

半導体装置の絶縁膜エッチング方法

発明者： 鄭 相 燮 ,  安 太 赫
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-323156
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168088
出願日： 2000年10月23日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の絶縁膜エッチング方法を提供する。【 解決手段】 本発明の一観点は、半導体基板上にシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜などの絶縁膜を形成し、C4F8OガスのようにC4HxF8-xOガス(ここで、前記xは0〜4の整数である)を含む反応ガスを用いて絶縁膜をドライエッチングする。このようなドライエッチングにより絶縁膜をエッチングしてコンタクトホールを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に絶縁膜を形成する段階と、C4HxF8-xOガス(ここで、前記xは0〜4の整数である)を含む反応ガスを用い、前記絶縁膜をドライエッチングする段階とを含むことを特徴とする半導体装置の絶縁膜エッチング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 21/28 M ,  H01L 21/28 F ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/90 A ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (4件)

• クリーニングガス、エッチングガス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-096985   出願人：セントラル硝子株式会社
• 特開昭60-077429
  
• エッチングガスおよびクリーニングガス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-027382   出願人：ダイキン工業株式会社
• 特開昭60-077429