特許
J-GLOBAL ID：200903005093269095
位相シフトフォトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
韮澤 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-087072
公開番号（公開出願番号）：特開平5-289305
出願日： 1992年04月08日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 エッチングストッパー層としてエッチング選択性が優れ、確実に自動的にエッチングを停止することがでる材料からなる膜を用いた位相シフトフォトマスク。【構成】 少なくとも基板29とその表面に遮光パターン37を介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分とする材料からなる位相シフターパターン44とからなる位相シフトフォトマスクにおいて、基板29表面にCrOx 、CrNy 、CrCz 、CrOx Ny 、CrOx Cz 又はCrOx Ny Cz からなるエッチングストッパー層30を設けることにより、位相シフターパターンをエッチングにより作成する際、この層のエッチングストッパー作用により、位相シフター用透明膜を確実に正確にエッチングすることができる。
請求項（抜粋）：
少なくとも基板とその表面に遮光パターンを介して又は直接に設けられた酸化シリコンを主成分とする材料からなる位相シフターパターンとからなる位相シフトフォトマスクにおいて、基板表面にCrOx 、CrNy 、CrCz 、CrOx Ny 、CrOx Cz 又はCrOx Ny Cz からなるエッチングストッパー層を備えてなることを特徴とする位相シフトフォトマスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 311 W
