特許
J-GLOBAL ID：200903005097291575
光起電力装置及び光起電力装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
河野 登夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-213796
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078714
出願日： 1994年09月07日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：
【要約】【目的】 製造プロセスの簡素化を図れて低コスト化を実現でき、しかも、歩留りを向上できる光起電力装置及びその製造方法の提供。【構成】 青板ガラス1と透明電極(SnO2 膜)4との間、及び、透明電極(SnO2 膜)4と光電変換層たるa-Si膜7との間に、Si(NCO)4 +H2 Oの低温CVD法により形成した第1のSiO2 層2及び第2のSiO2 層6を設ける。また、第1のSiO2 層2と透明電極4との間、及び、透明電極4と第2のSiO2 層6との間に、第1,第2のSiO2 層2,6側から透明電極4側に向かうにつれてSnO2 の含有率を増加させた第1,第2の界面層(SiO2 /SnO2 混在層)3,5を設ける。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上に、SnO2 を主成分とする透明電極,アモルファスシリコン膜をこの順に有する光起電力装置において、前記ガラス基板と前記透明電極との間、及び/または、前記透明電極と前記アモルファスシリコン膜との間に、SiO2 層を設けたことを特徴とする光起電力装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 N
, H01L 31/04 M
