特許

J-GLOBAL ID：200903005101155070

半導体装置の製造方法

発明者： 五十嵐 均一 ,  佐藤 秀明
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023592
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223624
出願日： 1997年02月06日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】ポリイミド系樹脂層を層間絶縁膜として有する半導体装置のカバー膜のふくれやクラックを防止する。【解決手段】ポリイミド系樹脂層(4)をP-CVD酸化シリコン膜8などで被覆してから脱ガス処理を行なう。脱ガス処理後に大気中に取り出すことができ、脱ガス処理中のアミド化に伴なう反応生成物の飛散を防止できる。

請求項（抜粋）：

ポリイミド系樹脂層を層間絶縁膜として形成する工程を有する半導体装置の製造方法において、前記ポリイミド系樹脂層を所定温度に加熱したとき水分を透過させるがアミド化に伴なう反応生成物の透過を抑制する絶縁膜で被覆した後熱処理を行なって前記ポリイミド系樹脂層の脱ガスをする工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/312 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/312 B ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/90 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平1-150342
  
• 特開平4-324958