特許
J-GLOBAL ID：200903005103746245
イオン注入方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-321455
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176288
出願日： 1993年12月21日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】イオン数計測回路の異常によって発生するイオン注入不良(イオンの注入不足、注入過剰)を皆無もしくは最小限に抑えることができるイオン注入方法を提供することにある。【構成】半導体ウエハWに所定量のイオンを注入する手段と、前記半導体ウエハWに注入されたイオン数を計測するイオン数計測回路20を備えたイオン数計測手段とからなるイオン注入方法において、前記半導体ウエハWにイオンを注入する毎に、その注入前に、前記イオン数計測回路20に半導体ウエハWにイオンを注入した際に発生する電流に相当する定電流を定電流回路22から流し、イオン数計測回路20が正常に動作するか否かを自己チェックすることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
被処理物に所定量のイオンを注入する手段と、前記被処理物に注入されたイオン数を計測するイオン数計測回路を備えたイオン数計測手段とからなるイオン注入方法において、前記被処理物にイオンを注入する毎に、その注入前に、前記イオン数計測回路に被処理物にイオンを注入した際に発生する電流に相当する定電流を流し、イオン数計測回路を自己チェックすることを特徴とするイオン注入方法。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, C23C 14/48
, H01L 21/265
