特許

J-GLOBAL ID：200903005104581916

半導体ウェハとその結晶軸方位の特定方法

発明者： 千葉 貞一郎 ,  森 彰
出願人/特許権者： 株式会社小松製作所
代理人 (1件)： 野口 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-061666
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250754
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】光学的な視認性に優れ、結晶軸の方位を示す特異な形態をもつドットマーク群を有する半導体ウェハと同ドットマーク群による結晶軸の方位特定方法を提供する。【解決手段】半導体ウェハ(W) の所定領域内にウェハ面から一部が隆起する複数のドット状マーク(M′) を形成したのち、前記半導体ウェハ(W) の表面全体にエピタキシャル成長させて単結晶が形成されたエピ成長ドットマーク(M) の群とエピタキシャル成長層が全く或いは殆ど形成されていない非エピ成長ドットマーク(M) の群とができる。前記非エピ成長ドットマーク(M) の群にあって最も視認性に優れたドットマーク(M) を抽出し、このドットマーク(M) とウェハ中心とから結晶軸の方位を特定する。

請求項（抜粋）：

一部がウェハ面から隆起する隆起部を有する複数個のドットマークが一群をなして半導体ウェハの所定領域内に形成されてなり、前記一群のドットマークは、前記所定領域内にあってエピタキシャル成長層が形成されたエピ成長ドットマーク群と殆どエピタキシャル成長層が形成されていない非エピ成長ドットマーク群とに分けられてなることを特徴とする半導体ウェハ。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/66

FI (2件)：

H01L 21/02 A ,  H01L 21/66 N

Fターム (5件)：

4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA38 ,  4M106CB17 ,  4M106DB11