特許
J-GLOBAL ID：200903005109945070
化合物半導体素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-260329
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102194
出願日： 1991年10月08日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 リセスのエッチング深さのばらつきをなくして閾値電圧を均一にするとともに、寄生抵抗の増加による素子特性の劣化を防ぐ。【構成】 エッチング停止層としてAlInGaAs層を形成し、この上にGaAs層を形成する。このGaAs層の所定の領域をエッチングして、このGaAs層を貫通するリセス23を形成する。このリセスにゲート電極24を形成する。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板上に、一導電型の第一のGaAs層を形成する工程と、前記第一のGaAs層上に、エッチング停止層となる同一導電型またはアンドープのAlInGaAs層を形成する工程と、前記AlInGaAs層上に、同一導電型の第二のGaAs層を形成する工程と、前記第二のGaAs層の所定の領域をドライエッチング法によりエッチングして、前記第二のGaAs層を貫通するリセスを形成する工程と、前記リセスにゲート電極を形成する工程とを有することを特徴とする化合物半導体素子の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
H01L 29/80 F
, H01L 29/80 H
