特許
J-GLOBAL ID：200903005110078444
配線設計データを利用した化学的機械的研磨方法、加工物の製造方法、およびデザインルール決定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-198094
公開番号（公開出願番号）：特開2004-040004
出願日： 2002年07月08日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：
【課題】製造条件を設定する実験をすることなく、プロセス制御モデル及びレシピを決定して、化学的機械的研磨を実施する。【解決手段】着工実績、検査実績データを取得する機能を備えた生産システムにおいて、配線設計データとプロセスフローを関連付けて、プロセスフロー上の任意のプロセスにおけるLSIチップ上の表面の立体形状を生成する手段を備え、プロセスシミュレータと着工システムとのデータを授受する手段を備え、研磨を実施するプロセスまでのプロセスフローの全てのプロセスの配線設計データに基づき、研磨前形状を生成し、プロセスシミュレーションを実施して研磨後形状を求めることで、製品別の研磨レートが分かり、所定の管理値を得ることのできる研磨時間を決定することが出来る。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
化学的機械的研磨方法であって、
研磨の対象となる製品ウェハのプロセスフローもしくはプロセスモジュールを取得する第1のステップと、
LSIチップの、全ての素子・配線層の、素子領域のセルレイアウト、配線形状、およびスクライブライン上のTEG形状といった配線設計データを取得する第2のステップと、
プロセスフロー上の各プロセスと素子・配線層を関連付ける第3のステップと、
各プロセスにおいて、予め設定されている素子・配線・層間の幅と高さ寸法に基づき、下層から順次配線設計データを3次元化し、プロセスフロー上の化学的機械的研磨プロセスまでの、LSIチップの素子・配線層の段差形状を生成する第4のステップと、
第4のステップで得られた、段差形状に対して、予め決定された研磨後膜厚の管理値を目標とした、化学的機械的研磨シミュレーションを実施し、LSIチップを対象とした研磨レートを決定する第5のステップと、
決定された研磨レートより、研磨条件を決定し、レシピを修正もしくは選定する第6のステップと、
を経て、研磨装置が運転されることを特徴とする化学的機械的研磨方法。
IPC (4件)：
H01L21/3205
, H01L21/02
, H01L21/304
, H01L21/82
H01L21/88 K
, H01L21/02 Z
, H01L21/304 621D
, H01L21/82 W
5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033MM02
, 5F033PP15
, 5F033QQ08
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033UU04
, 5F033UU07
, 5F033XX01
, 5F033XX03
, 5F064BB35
, 5F064DD08
, 5F064EE14
, 5F064FF48
, 5F064HH09
