特許

J-GLOBAL ID：200903005121448359

LEC法化合物半導体単結晶の製造方法

発明者： 大宝 幸司 ,  矢吹 伸司 ,  池田 裕一
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-074152
公開番号（公開出願番号）：特開2002-274999
出願日： 2001年03月15日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】 安定かつ効果的に内部歪みを除去して、加工工程でのクラックの発生及びエピ工程でのスリップの発生を防止できるLEC法化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 LEC法により化合物半導体単結晶を結晶成長させた後、熱処理するLEC法化合物半導体単結晶の製造方法において、上記熱処理を、200°C/h以下の速度で750°C以上900°C以下の温度範囲内まで加熱し、該温度範囲内で30分間以上保持した後、100°C/h以下の速度で常温まで冷却する。

請求項（抜粋）：

LEC法により化合物半導体単結晶を結晶成長させた後、熱処理するLEC法化合物半導体単結晶の製造方法において、上記熱処理を、200°C/h以下の速度で750°C以上900°C以下の温度範囲内まで加熱し、該温度範囲内で30分間以上保持した後、100°C/h以下の速度で常温まで冷却することを特徴とするLEC法化合物半導体単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B 29/42 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208 P

Fターム (10件)：

4G077AA02 ,  4G077BE46 ,  4G077CF10 ,  4G077EJ07 ,  4G077FE02 ,  4G077FE17 ,  5F053AA12 ,  5F053PP03 ,  5F053PP20 ,  5F053RR03