半導体装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-181428
公開番号（公開出願番号）：特開2002-373896
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】メタルCMPの本来の効果を維持しつつ、複数の素子の各々の特性劣化を均一にする。【解決手段】ゲート電極1のゲート長Lは例えば10μm前後の値であって比較的に大きい。第1層メタル(1AL)4,5で挟まれたゲート電極1の直上方領域に、第1方向D1に関する幅W(<L)を有し且つゲート長方向(電流の流れる方向)に直交する第2方向D2に延在するメタルダミーパターン6が、配設されている。しかも、メタルダミーパターン6の第2方向D2に関する幾何中心は、第2方向D2に関するゲート電極1の幾何中心GCに等しい。これにより、ゲート電極1から眺めたメタルダミーパターン6の形状の左右対称性が保持される。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の主面上に形成され、第1主電極領域と、第2主電極領域と、前記第1主電極領域と前記第2主電極領域との間に流れる電流を制御するためのゲート電極とを備えるMOS構造トランジスタと、前記ゲート電極の上面上に形成され、前記MOS構造トランジスタを被覆する層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の上面上に形成され、前記ゲート電極の前記上面の上方に配置されたメタルダミーパターンとを備え、前記ゲート電極のゲート長方向に該当する第1方向に関して、前記第1主電極領域は前記第2主電極領域に対向しており、前記第1主電極領域、前記第2主電極領域、前記ゲート電極及び前記メタルダミーパターンは、前記第1方向に直交し且つ前記ゲート電極のゲート幅方向に該当する第2方向に沿って延在しており、前記第2方向に関する前記ゲート電極の幾何中心は、前記第2方向に関する前記メタルダミーパターンの幾何中心と一致することを特徴とする、半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/3205 , H01L 21/82 , H01L 21/822 , H01L 27/04 , H01L 29/78

FI (7件)：

H01L 21/88 S , H01L 29/78 301 X , H01L 27/04 P , H01L 27/04 R , H01L 27/04 L , H01L 27/04 F , H01L 21/82 L

Fターム (46件)：

5F033HH08 , 5F033MM21 , 5F033QQ48 , 5F033UU01 , 5F033UU04 , 5F033VV02 , 5F033VV03 , 5F033VV05 , 5F033VV06 , 5F033VV08 , 5F033VV09 , 5F033XX01 , 5F033XX23 , 5F033XX24 , 5F038AR01 , 5F038AR09 , 5F038AR26 , 5F038AR27 , 5F038AZ04 , 5F038BH09 , 5F038BH10 , 5F038CD10 , 5F038DF01 , 5F038EZ20 , 5F064BB22 , 5F064CC09 , 5F064CC22 , 5F064CC30 , 5F064EE23 , 5F064EE26 , 5F064EE33 , 5F064EE51 , 5F064EE52 , 5F140AA00 , 5F140AA15 , 5F140AA26 , 5F140AB03 , 5F140AB10 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ27 , 5F140CA01 , 5F140CA03 , 5F140CA06 , 5F140CD08 , 5F140CE07

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