可変抵抗素子とその駆動方法、および半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島司朗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-304437
公開番号（公開出願番号）：特開2006-120701
出願日： 2004年10月19日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】少ない消費電力をもって確実な抵抗状態の変化を生じ得る可変抵抗素子とその駆動方法、およびこの素子を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】メモリ素子1は、p型シリコン基板10に、2箇所の不純物拡散領域11とゲート電極13およびゲート絶縁層12から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極19と上部電極21とで可変抵抗層20を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。可変抵抗素子部では、下部電極19と上部電極21とが、可変抵抗層20に対する接続面積が相違する構成となっている。そして、この電極19、21の接続領域の相違により、可変抵抗層20では、電界集中が生じ、下部電極19が接続された部分近傍に抵抗変化領域20aが発生する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

電界の変化により電気特性が変化する可変抵抗層と、前記可変抵抗層に対して接続された第1および第2の電極とを有してなる可変抵抗素子であって、前記第1および第2の電極は、前記可変抵抗層に対して、互いに相違するサイズをもって接続されていることを特徴とする可変抵抗素子。

IPC (8件)：

H01L 27/105 , H01L 27/10 , G11C 13/00 , H01C 10/00 , H01L 43/08 , H01L 27/04 , H01L 21/822 , H01L 21/824

FI (8件)：

H01L27/10 448 , H01L27/10 451 , G11C13/00 A , H01C10/00 Z , H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L27/04 V , H01L27/10 447

Fターム (21件)：

5E030AA18 , 5E030BA30 , 5E030CA06 , 5F038AV07 , 5F038AV17 , 5F038AV18 , 5F038DF05 , 5F038DF08 , 5F038EZ11 , 5F038EZ12 , 5F038EZ14 , 5F038EZ20 , 5F083FZ10 , 5F083GA05 , 5F083GA11 , 5F083JA21 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083MA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許6204139号公報

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