特許
J-GLOBAL ID：200903005133777480
半導体素子及び双方向光送受信モジュール
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-130203
公開番号（公開出願番号）：特開平7-335856
出願日： 1994年06月13日
公開日（公表日）： 1995年12月22日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、光通信装置における電気/光変換及び光/電気変換機能を有する半導体レーザ素子及び双方向光送受信モジュールに関し、小型化を図った半導体レーザ素子及び双方向光送受信モジュールを提供することを目的とする。【構成】 n型インジューム・リン基板41の上部に活性層40a、活性層40b、及び電流阻止層となるp型インジューム・ リン42とn型インジューム・リン43とを有する。また、活性層40の上部にp型インジューム・ リン44とp型ガリウム・インジューム・アーセナイド・リン45を有し、溝36によりp型インジューム・ リン44とp型ガリウム・インジューム・アーセナイド・リン45を2分し、互いに絶縁する。さらに、電極を2分されたp型ガリウム・インジューム・アーセナイド・リン45のそれぞれの上部と、n型インジューム・リン基板41の下部とに設ける。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体基板と、前記第1導電型半導体基板の上部に、第1の活性層と、前記第1導電型半導体基板の上部に、前記第1の活性層と離間された第2の活性層と、前記第1の活性層の上部に、第1の第2導電型半導体と、前記第2の活性層の上部に、前記第1の第2導電型半導体と離間された第2の第2導電型半導体とを有した半導体素子。
IPC (2件)：
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