特許

J-GLOBAL ID：200903005138393353

炭窒化ホウ素膜の製造方法

発明者： 渡辺 俊哉 ,  山下 信樹 ,  保科 良祐
出願人/特許権者： 三菱重工業株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-224231
公開番号（公開出願番号）：特開2000-064025
出願日： 1998年08月07日
公開日（公表日）： 2000年02月29日
要約：

【要約】【課題】 耐摩耗性に優れた所望の炭窒化ホウ素膜中の組成比を有する炭窒化ホウ素膜を製造できる手段を提供するにある。【解決手段】 イオン照射20と蒸着18又は複数のイオン照射と、希ガスイオン照射20を同時に行う方法により、基材13上に膜状の炭素、窒素及びホウ素の化合物を形成させることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

イオン照射と蒸着又は複数のイオン照射と、希ガスイオン照射を同時に行う方法により、基材上に膜状の炭素、窒素及びホウ素の化合物を形成させることを特徴とする炭窒化ホウ素膜の製造方法。

IPC (4件)：

C23C 14/06 ,  B23P 15/28 ,  C23C 14/32 ,  C23C 14/48

FI (5件)：

C23C 14/06 C ,  C23C 14/06 H ,  B23P 15/28 A ,  C23C 14/32 F ,  C23C 14/48 D

Fターム (17件)：

4K029AA02 ,  4K029BA54 ,  4K029BB07 ,  4K029BC02 ,  4K029BD04 ,  4K029BD05 ,  4K029CA03 ,  4K029CA09 ,  4K029CA10 ,  4K029DB05 ,  4K029DB21 ,  4K029DE01 ,  4K029DE02 ,  4K029EA02 ,  4K029EA05 ,  4K029EA09 ,  4K029FA04