特許
J-GLOBAL ID：200903005141626482
断熱溶射層の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
香本 薫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-233066
公開番号（公開出願番号）：特開平6-057396
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月01日
要約：
【要約】【目的】 均一で高い気孔率を持ち断熱性能に優れた断熱溶射層を容易に得ること。さらに、下地層と断熱溶射層の界面の密着性及び耐酸化性を改善すること。【構成】 基材10上に下地層11を形成し、この上に断熱性に優れたセラミック粉末の緻密な溶射層12を形成し、さらに断熱性に優れたセラミック粉末と所定量のSi3N4粉末の混合粉末を溶射し、気孔率の高い溶射層13を形成する。混合粉末中のSi3N4粉末がプラズマ溶射過程で高温加熱され、ガス化するため、形成された溶射層13中には多数の気孔が残留し、気孔率が高く断熱性に優れた溶射層となる。一方、溶射層12は緻密であるため、下地層11との密着性がよく、耐酸化性も優れる。
請求項（抜粋）：
基材上に断熱性に優れたセラミック粉末と所定量のSi3N4粉末の混合粉末を溶射し、気孔率の高い溶射層を形成することを特徴とする断熱溶射層の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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