特許

J-GLOBAL ID：200903005146952256

半導体レーザ素子

発明者： 伊地知 哲朗 ,  菊田 俊夫
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-352305
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167189
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 高注入時まで電流狭窄効果が保たれ、基本横モードで発振する集光性のある高出力が得られる半導体レーザ素子を提供する。【構成】 活性層17を含むメサストライプを有し、該活性層17の両側面を電流狭窄層で埋め込んだ半導体レーザ素子において、活性層17の幅を5μm以下とし、電流狭窄層を活性層17の側面に0.1μm以上の半導体層13、次いで該半導体層13の上にポリイミド樹脂14を積層して構成する。

請求項（抜粋）：

活性層を含むメサストライプを有し、該活性層の両側面を電流狭窄層で埋め込んだ半導体レーザ素子において、活性層の幅は5μm以下であり、電流狭窄層は活性層の側面に0.1μm以上の半導体層、次いで該半導体層の上にポリイミド樹脂を積層してなることを特徴とする半導体レーザ素子。