特許

J-GLOBAL ID：200903005146999422

半導体パッケージ、半導体装置、電子装置及び半導体パッケージの製造方法

発明者： 鈴木 孝直 ,  稲葉 正俊 ,  大湊 忠則 ,  海津 雅洋 ,  黒坂 昭人 ,  稲葉 匡俊 ,  定方 伸行 ,  升本 睦 ,  桝本 健治
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社
代理人 (1件)： 藤巻 正憲
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP2000003836
公開番号（公開出願番号）：WO2000-077844
出願日： 2000年06月13日
公開日（公表日）： 2000年12月21日
要約：

【要約】電極パッド(2)に整合する位置に開口部(3a)を有する絶縁層(3)を形成する。次いで、絶縁層(3)上に樹脂製突部(4)を形成する。その後、開口部(3a)、樹脂製突部(4)及びこれらに挟まれた領域に整合する領域に形成された開口部を有するレジスト膜を形成する。そして、レジスト膜をマスクとしてCuメッキ層(6)を電解銅メッキにより形成する。

請求項（抜粋）：

電極(2)が設けられたウェハ(1)上に形成された絶縁層(3)と、この絶縁層(3)の前記電極(2)に整合する領域に形成された開口部(3a)と、この開口部(3a)を介して前記電極(2)に接続された再配線層(5,6)と、前記ウェハ(1)、前記絶縁層(3)及び前記再配線層(5,6)を封止する封止樹脂層(8)と、この封止樹脂層(8)を貫通し上面に半田バンプ(11)が形成されたポスト(7)と、を有し、前記ポスト(7)は、前記絶縁層(3)上に形成された樹脂製突部(4)と、この樹脂製突部(4)の少なくとも上面を被覆し前記再配線層(5,6)及び前記半田バンプ(11)に接続された導電層(5,6)と、を有することを特徴とする半導体パッケージ。

IPC (3件)：

H01L 21/60 ,  H01L 21/56 ,  H01L 23/12

FI (4件)：

H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/56 R ,  H01L 23/12 F ,  H01L 23/12 L