特許
J-GLOBAL ID：200903005148236310
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-229088
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077465
出願日： 1992年08月28日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】ショットキーバリアダイオードにおいて、素子領域面積の縮小を図る。【構成】選択酸化によって形成された酸化膜の下にガードリングを形成し、開口部をこの酸化膜を含む領域上に形成し、開口部に白金シリサイドを形成することによって、ショットキーバリアダイオードを形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型半導体層と、前記第1導電型半導体層上に形成された該半導体層の表面から一部内部に埋設せる酸化膜と、前記酸化膜上に形成された絶縁膜と、前記酸化膜下に形成された第2導電型半導体層とを有し、前記第2導電型半導体層および前記第2導電型半導体層によって囲まれた前記第1導電型半導体層に対して前記酸化膜および前絶縁膜に開口部が形成され、前記開口部に金属シリアイド膜が形成されたショットキーバリアダイオードを有することを特徴とした半導体装置。
引用特許：
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