特許

J-GLOBAL ID：200903005148999578

真空材料の表面処理方法

発明者： 塩川 善郎
出願人/特許権者： アネルバ株式会社
代理人 (1件)： 田宮 寛祉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-226934
公開番号（公開出願番号）：特開2000-129443
出願日： 1999年08月10日
公開日（公表日）： 2000年05月09日
要約：

【要約】【課題】 真空材料の表面におけるH2 O付着確率を低減できる真空材料の表面処理方法を提供することにある。【解決手段】 真空材料の表面における活性状態にある領域を酸化シリコン等で選択的に付着させて被覆し、かつその被覆率を膜形成に至る手前の段階の100%未満とすることにより、H2 O付着確率を低減させる。上記被覆率としては40〜80%の範囲に含まれるときが、H2 O付着確率をもっとも低くすることができる。

請求項（抜粋）：

真空材料の表面に特定な物質を付着させてその被覆率を100%未満とし、前記真空材料の前記表面におけるH2 O付着確率を低減したことを特徴とする真空材料の表面処理方法。

IPC (5件)：

C23C 16/24 ,  B01J 3/00 ,  C09K 3/18 101 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/44

FI (5件)：

C23C 16/24 ,  B01J 3/00 K ,  C09K 3/18 101 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/44 B