特許

J-GLOBAL ID：200903005153212187

多層セラミック基板、その製造方法、通信用デバイスおよびそれを用いた通信機器

発明者： 加賀田 博司 ,  山岡 正拓 ,  竹内 孝之 ,  勝村 英則
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-326491
公開番号（公開出願番号）：特開2004-165247
出願日： 2002年11月11日
公開日（公表日）： 2004年06月10日
要約：

【課題】導体周辺の誘電特性を悪化させないように改良された、キャビティを有する多層セラミック基板を提供することを主要な目的とする。【解決手段】多層セラミック基板22は、少なくともその一方の主面にキャビティ9を有する。多層セラミック基板22の内部および/または表面に導体パターン21が設けられている。多層セラミック基板22の内部であって、キャビティ9の底面の周縁部近傍に、導体パターン21と電気的に分離された形状保持パターン24、24a、24bが埋め込まれている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

少なくともその一方の主面にキャビティを有し、かつその内部および/または表面に導体パターンが設けられている多層セラミック基板において、 前記多層セラミック基板の内部であって、前記キャビティの底面の周縁部近傍に、前記導体パターンと電気的に分離された形状保持パターンが埋め込まれていることを特徴とする多層セラミック基板。

IPC (3件)：

H05K3/46 ,  H01L23/12 ,  H01L23/13

FI (4件)：

H05K3/46 H ,  H05K3/46 T ,  H01L23/12 C ,  H01L23/12 Q

Fターム (22件)：

5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA24 ,  5E346AA32 ,  5E346AA38 ,  5E346AA60 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346CC32 ,  5E346CC39 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE27 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346FF45 ,  5E346GG03 ,  5E346GG06 ,  5E346GG07 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11