特許

J-GLOBAL ID：200903005158077970

半導体製造装置

発明者： 森田 昌幸
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-252893
公開番号（公開出願番号）：特開2002-075814
出願日： 2000年08月23日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 良品ウェハに対して再生処理が行われることを抑制すると共に、不良品ウェハが次工程へと送られることを抑制し、適切な形状のレジストパターンの形成を効率的に行えるようにする。【解決手段】 レジスト塗布部13によるレジスト層の形成から、露光処理部14による露光処理、現像処理部15による現像処理を経て形成されたレジストパターンの状態を検査処理部16により検査し、その検査結果に基づいて、良品ウェハのみをウェハ排出部23から排出して次工程へと回し、不良品ウェハに対しては、レジスト剥離部17によりレジストパターンを剥離して再生処理に回すようにする。このとき、検査処理部16は、露光処理部14による露光処理と同等以上の処理速度で処理を行い、レジストパターンが形成された全ての半導体ウェハ100に対して検査を行うようにする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上に、作製する半導体回路パターンに対応したレジストパターンを形成するための半導体製造装置であって、当該半導体製造装置の内部に半導体ウェハを供給するウェハ供給部と、上記ウェハ供給部により供給された半導体ウェハ上にレジスト材料を塗布してレジスト層を形成するレジスト塗布部と、上記レジスト塗布部により半導体ウェハ上に形成されたレジスト層を露光して、このレジスト層に上記半導体回路パターンに対応した潜像を形成する露光処理部と、上記露光処理部により上記半導体回路パターンに対応した潜像が形成されたレジスト層を現像して、上記半導体ウェハ上に上記半導体回路パターンに対応したレジストパターンを形成する現像処理部と、上記現像処理部により上記半導体ウェハ上に形成されたレジストパターンの状態を光学顕微鏡を用いて検査する検査処理部と、上記検査処理部による検査の結果に基づいて、良品ウェハと不良品ウェハとを判別するウェハ判別処理部と、上記ウェハ判別処理部により不良品ウェハとして判別された半導体ウェハ上に形成されたレジストパターンを剥離するレジスト剥離部と、上記ウェハ判別処理部により良品ウェハとして判別された半導体ウェハを当該半導体製造装置の外部に排出するウェハ排出部とを備え、上記検査処理部は、上記ウェハ供給部により当該半導体製造装置の内部に供給された半導体ウェハの全てに対して検査を行うことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G01N 21/956 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01N 21/956 A ,  H01L 21/66 J ,  H01L 21/30 514 E ,  H01L 21/30 502 V

Fターム (22件)：

2G051AA51 ,  2G051AB02 ,  2G051BA05 ,  2G051BA10 ,  2G051CA04 ,  2G051DA01 ,  2G051DA07 ,  2G051DA13 ,  4M106AA01 ,  4M106AA20 ,  4M106BA02 ,  4M106BA04 ,  4M106CA39 ,  4M106DB18 ,  4M106DB30 ,  4M106DJ38 ,  5F046AA17 ,  5F046BA04 ,  5F046BA05 ,  5F046CA04 ,  5F046DA13 ,  5F046DD06