特許

J-GLOBAL ID：200903005158701585

ナフタレン誘導体とその製造方法

発明者： 黒田 昌美 ,  古庄 昇 ,  中山 重蔵 ,  星野 正松
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-052963
公開番号（公開出願番号）：特開平5-255307
出願日： 1992年03月12日
公開日（公表日）： 1993年10月05日
要約：

【要約】【目的】新規なナフタレン誘導体とその合成方法を得る。【構成】一般式(I)で示されるオリゴチオフェン側鎖を有するナフタレン誘導体。【化1】(式(I)においてR1, R2, R3, およびR4はそれぞれ水素原子,ハロゲン原子,ホルミル基,アシル基またはアリール基、lは2ないし5の整数を表す。)

請求項（抜粋）：

オリゴチオフェン側鎖を有し一般式(I)で示されるナフタレン誘導体。【化1】(式(I)においてR1, R2, R3, およびR4はそれぞれ水素原子,ハロゲン原子,ホルミル基,アシル基またはアリール基、lは2ないし5の整数を表す。)

IPC (4件)：

C07D333/28 ,  C07D333/12 ,  C07D333/16 ,  C07D333/32